Samsung je konec junija 2022 naznanil, da je Samsung Foundry začel z masovno proizvodnjo 3nm čipov. Ta sloni na novi Gate-All-Around (GAA) arhitekturi tranzistorjev, ki je odpravlja omejitve arhitekture FinFET.
Samsung pri 3nm obljublja boljše performanse in manjšo porabo energije
Pri proizvodnji 3nm čipov gre za prvo generacijo. Samsung v primerjavi s 5nm čipi napoveduje do 23% boljše performanse in do 45% manjšo porabo energije. Hkrati pa je površina čipa manjša za 16%. Za drugo generacijo 3nm čipov pa Samsung napoveduje še boljše rezultate. V primerjavi s 5nm naj bi dosegali do 50% manjšo porabo energije, do 30% boljše performanse in 35% manjšo površino.
Kot rečeno se Samsung pri proizvodnji 3nm čipov zanaša na Gate-All-Around (GAA) arhitekturo tranzistorjev in Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET) tehnologijo. Z MBCFET so prešli na način, da nanosloje tranzistorjev, ki so lahko zloženi vertikalno. Tak način ima več prednosti, med drugim tudi ti, da lahko uporabljajo orodje in proizvodnje metodologije, ki so jih imeli pri FinFET.
Samsung je prehitel TSMC s 3nm čipi
Najava začetka proizvodnje 3nm čipov je velik korak za Samsung v tekmi z družbo TSMC. TSMC je namreč dominantni igralec pri proizvodnji čipov za druge naročnike. Hkrati pa je proizvajalec čipov za Apple naprave iPhone, iPad, MacBook in Mac. TSMC je začetek proizvodnje svojih 3nm čipov napovedal za drugo polovico leta 2022. Samsung še ni naznanil, kdo bo prvi kupec 3nm čipov, a skoraj gotovo jih bodo uporabili v svojih novih mobilnih napravah.